





压电式传感器也广泛应用在生物医学测量中,比如说心室导管式微音器就是由压电传感器制成的,因为测量动态压力是如此普遍,所以压电传感器的应用就非常广。
除了压电传感器之外,还有利用压阻效应制造出来的压阻传感器,利用应变效应的应变式传感器等,这些不同的压力传感器利用不同的效应和不同的材料,在不同的场合能够发挥它们独特的用途。

电阻应变片压力传感器、压阻式压力传感器、半导体应变片压力传感器、电容式压力传感器、电感式压力传感器等等都属于压力传感器的一种,这些传感器的基本原理都是一致的,只不过用来感知压力的部件和方式有所不同,其中压阻式压力传感器因为价格低廉、性能良好而被应用地广泛
半导体压力传感器应运而生,它更轻便、更准确,更能适应环境,逐渐取代了传统压力传感器。
硅单芯片为衬底的SiC薄膜
五、SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内,便可获得的立方体结构的SiC。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同,可表示为β-SiC。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化学及电学特性优异,表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度(近乎硅的1-2倍)及较高的压阻系数的特性;因此,SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射,并具有稳定的电学性质。非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用。 由于SiC单晶体材料成本高,硬度大及加工难度大,所以硅单晶片为衬底的SiC薄膜就成为研究和使用的理想选择。通过离子注入,化学气相淀积(VCD)等技术,将其制在Si衬底上或者绝缘体衬底(SiCOI)上,供设计者选用。例如航空发动机、火箭、及等耐热腔体及其表面部位的压力测量,便可选用以绝缘体为衬底的SiC薄膜,作为感压元件(膜片),并制成高温压力微传感器,实现上述场合的压力测量。测压时的工作温度可达到600℃以上。

前室压差控制器作用线性误差的产生原因
二、线性误差: 线性误差是初始误差影响较小的因素,该误差的产生原因在于前室压差控制器作用硅片的物理非线性,但对于带放 大器的传感器,还应包括放大器的非线性。线性误差曲线可以是凹形曲线,也可以是凸形曲线。 三、偏移量误差: 由于在整个前室压差控制器作用量程范围内垂直偏移保持恒定,因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移 量误差。 四、灵敏度误差: 传感器产生的灵敏度误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值,灵敏度误差将是压力的递增 函数。如果前室压差控制器作用灵敏度低于典型值,那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于 扩散过程的变化。



